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群贤毕至!第十三届微光刻技术交流会在青岛成功召开

发布日期:2024/2/18 15:54:42 浏览:47

装调实现5镜共基准。由于600mm超过设备运动范围(400mm)限制,需要开发激光直写远距离高精度拼接曝光技术。报告中,魏鸿达介绍了拼接方案,第一步完成450*300mm图案加工,经显影、刻蚀、再次涂胶后,第二次曝光完成第二部分加工;两次摆放基板会造成坐标系破坏,产生拼接误差,需重构坐标系,降低误差,大尺度多范围设定靶标;精准提取十字刻线质心,数据拟合修正,以基板靶标重建坐标系,实现在同一坐标系下两次直写。此外,魏鸿达还介绍了离子束刻蚀技术以及相关应用拓展。

报告人:中国科学院光电技术研究所胡松研究员

报告题目:《面向广义芯片的光刻技术与装备》

广义芯片包括集成电路在内所有由光刻技术制造具体一定功能和集成度的系统,如第二代第三代化合半导体,传感器(应变,光栅,光电探测器,气体传感器等),显示器件,生物芯片,发光器件,MEMS,微光学元件,分立电子器件,通迅器件等。随着信息时代的发展,非IC广义芯片的应用十分广泛,需求量十分巨大;针对广义芯片的光刻机需要适应大量非IC标准要求,目前尚未形成垄断,国内具有实现自主可控的能力;国内相关单位需要把握当前窗口,形成面向广义芯片光刻设备的研发与应用链条,解决相关行业自主可控问题。

报告人:江苏长进微电子材料有限公司总经理王凯先生

报告题目:《新型高分辨率电子束光刻胶(用于多层结构和灰度光刻)》

江苏长进微电子材料有限公司成立于2021年,专业从事半导体光刻胶产品的研发、生产和销售。公司的产品系列完整,产品应用领域涵盖集成电路(IC)、发光器件(LED)、分立器件(Transistor)、先进封装(WLCSP,Bumping,FO-WLP,Chiplet)、微机电系统(MEMS)、掩膜版(Mask)等。报告中,王凯介绍了长进微电子的产品分类、技术路线、电子束胶在多层结构和灰度光刻中的应用等。

报告人:长飞石英技术(武汉)有限公司销售副总监肖畅先生

报告题目:《长飞石英-微光刻用合成石英材料开发进展与应用》

长飞石英基于30余年的光纤预制棒合成石英沉积、热处理等工艺的深入研发与制备经验开发出多种石英制备技术,并建立了全面的石英材料检测平台。长飞合成石英材料,为光学、半导体、光通信等多个行业领域,提供高品质石英材料产品。依托于先进的检测设备与专业的检测能力,长飞石英检测中心可对石英材料的各类光学特性与参数,进行全方位深入测试,为产品研发与交付提供质量保障。

报告人:矽万(上海)半导体科技有限公司陈硕先生

报告题目:《基于3D光刻的曲面衬底非球面微透镜阵列》

变焦复眼具有体积小、视场角大、灵敏度高等优点,非常适用于高性能的光电探测器、光场相机等。得益于3D光刻技术设计自由度高、幅面大、粗糙度低以及保真度高等优点制得了人工超复眼结构。该结构实现了信息共享功能:由于光敏单元的独特结构,能够实现不同光敏单元对物体信息的共同成像;变焦功能:人工超复眼作为由五种不同焦距子眼组成的复眼,能够感知不同焦平面上的物体;大视场角:由于在曲面上制备了大量的光敏单元,因此人工超复眼的视场角比在平面上制备的微透镜阵列更大,测试结果显示人工超复眼可工作范围视场角约为62°;超疏水微透镜阵列:在复眼结构中增加超疏水结构,使得在高湿度环境仍具有良好的成像功能。基于信息共享功能与变焦功能,人工超复眼不仅可以在曲面上实现变焦成像,也可以在平面上实现变焦成像。相信这种具有新颖结构的微光学元件为制造具有高光学性能的小型化设备提供了新思路。

报告人:苏州锐材半导体有限公司销售经理江茜女士

报告题目:《SOI晶圆和其它晶圆键合新材料》

SOI技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。被称为“二十一世纪的微电子技术”。目前全球制造SOl晶圆的技术主要有四种:注入氧分离技术(SeparationbylmplantedOxygen,SIMOX)、键合回刻技术(BondandEtch-backSOl,BESOI)、智能剪切技术(smart-Cut)和无研磨基台影响CMP技术(GCIF:GrindingChuckImpactFree)。江茜女士在报告中介绍了苏州锐材SOI核心技术产品、新的晶圆键合材料、SOI主要应用等内容。

报告人:深圳清力技术有限公司实验平台负责人潘旭捷先生

报告题目:《深圳超滑技术实验平台微纳米工艺介绍》

结构超滑是指两个固体表面直接接触做相对滑移运动时,摩擦极低、磨损为零的状态。结构超滑的初步概念最早可追溯到上世纪八九十年代。之后,郑泉水课题组于2002年预言第一个超滑器件,荷兰Frenken院士于2004年第一次在极端条件下观测到纳米尺度的超滑现象。2012年,郑泉水课题组首次在大气环境下实现了微米尺度的结构超滑,标志着结构超滑技术的诞生。报告中,潘旭捷介绍了结构超滑技术的原理、在微纳米器件中的应用和深圳结构超滑技术实验平台。

报告人:纳糯三维科技(上海)有限公司总经理崔万银博士

报告题目:《双光子灰度光刻技术在微光学器件中的应用》

Nanoscribe的双光子灰度光刻激光直写技术(2GL?)可用于工业领域2.5D微纳米结构原型母版制作。2GL通过创新的设计重新定义了典型复杂结构微纳光学元件的微纳加工制造。该技术结合了灰度光刻的出色性能,以及双光子聚合的亚微米级分辨率和灵活性。报告中,崔万银介绍了相关技术在硅片上3D加工、光纤端面加工和硅光芯片上的3D加工的应用。

报告人:苏州美图半导体技术有限公司总经理王云翔先生

报告题目:《美图&研材工艺介绍》

王云翔是美图半导体和研材微纳的创始人。报告中,王云翔介绍了美图&研材的业务架构,键合机、喷胶机、光刻机等产品及其在纳米森林、深结构刻蚀、金属微结构、薄膜器件、生物芯片、量产芯片等方面的应用。

报告人:福建省水电科学研究院刘辉文

报告题目:《电位限制式电子束投影光刻技术的新进展》

刘辉文在去年报告成果的基础上进行了进一步的研究,电位限制式电子束投影光刻技术进行了分辨率为20nm图形的仿真曝光,并在新型掩模下方0.8um处汇聚形成图形,图形中心线条粒子分布呈类高斯分布。通过增加带电层与原来静电场共同形成柱状透镜,使穿过掩蔽层图形缝隙的电子束汇聚。解决了电子散射问题,使电子能够在远离掩蔽层的位置曝光,解决了采用电位限制式电子束投影光刻技术实用化的问题。电位限制式电子束投影光刻技术能够解决原有电子束投影光刻技术的问题,结合其他技术能够解决电子束投影光刻技术实用化问题。通过本次电磁仿真和计算,从理论上验证了新型电位限制式电子束投影光刻技术的可行性和实用性,为以后实物验证做了前期准备,朝着制造高分辨率的电子束投影光刻系统又前进了一步。

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